Диоды Д142

Диоды:

• Д142-80,   Д142-80Х,  ДЛ142-80
• Д142-100, Д142-100X, ДЛ142-100

Конструкция  диодов - Вариант I (Д142-80, Д142-80Х, ДЛ142-80)

Конструкция  диодов - Вариант II ( Д142-100, Д142-100Х, ДЛ142-100)

• ml, m2 - контрольные точки измерения импульсного прямого напряжения;
• ml - в одной из двух точек;
• L mm = 5,6 мм - расстояние по воздуху между анода и катодом диода; длина пути для тока утечки между этими электродами . Масса диода не более 48 г.

Рисунок 1 - Предельная прямая вольтамперная характеристика при температуре перехода 25 ^oC (1) и максимальной температуре перехода T_jm (2) I_F= 3,14I_F(AV)

Рисунок 2 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(AV) от температуры корпуса T_c для токов синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 3 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(AV) от температуры корпуса T_c для токов прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 4 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(AV) от температуры окружающей среды T_а при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов синусои­дальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 5 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(AV) от температуры окружающей среды T_а при естественном охлаждении на типовом охладителе при различных углах проводимости и для токов прямо­угольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 6 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F(AV) от среднего прямого тока I_F(AV) синусоидальной формы частотой f = 50 Гц

Рисунок 7 - Зависимость средней прямой рассеиваемой мощности P_F(AV) от среднего прямого тока I_F(AV) прямоугольной формы частотой f = 50 Гц и постоянного тока

Рисунок 8 - Зависимость допустимой амплитуды ударного прямого тока I_FSM от длительности импульса тока t_i при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 9 - Зависимость защитного показателя I²t от длительности импульса тока t_i при исходной температуре структуры T_j = 25 ^оС (1) и максимальной температуре T_jm (2)

Рисунок 10 - Зависимость допустимой амплитуды прямого тока перегрузки I_T(ОV) синусоидальной формы частотой f = 50 Гц от длительности перегрузки t при температуре окружающей среды T_a = 40 ^oC и при отношении тока, предшествующего перегрузке, I_F к допустимому среднему прямому току с охладителем I_F(AV) равному k = I_F / I_F(AV); k = 0 (1); 0,5 (2); 0,75 (3); 1,0 (4).

Рисунок 11 - Зависимость теплового сопротивления переход - корпус Z_thjc (1) и переход- среда Z_thjа (2) от времени t при естественном охлаждении T_a = 40 ^oC на типовом охладителе .

Рисунок 12- Зависимость допустимой ударной обратной рассеиваемой мощности P_RSM от дли­тельности одиночного импульса t_i обратного тока синусоидальной формы в состоянии лавинного пробоя при максимальной температуре структу­ры T_jm.

Рисунок 13 - Зависимость допустимого среднего прямого тока I_F(AV) от частоты f при естественном охлаждении на типовом охладителе при токе сину­соидальной формы с углом проводимости θ = 180^о эл; τ_p = 50 мкс (1) при T_j = 150 °C , τ_p = 60 мкс (2) при T_j = 150 °C.